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CdZnTe晶體
CdZnTe晶體是一種閃爍礦結(jié)構(gòu)的連續(xù)固溶體，改變Zn的組分，其晶格常數(shù)在0.6100 -0.6482urn之間連續(xù)可調(diào)，與HgCdTe外延膜的晶格匹配性好。有良好的導(dǎo)電性能；較高的吸收系數(shù)；溫和的熱膨脹性；
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | Cd1-xZnxTe晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系 晶格常數(shù)：a = 6.483 – 6.446? 密度：5.605g/cm3 熔點：1975℃ 熱導(dǎo)率：30W /m.k at 300K 熱膨脹系數(shù)：6.5 // a 3.7 // c 10-6/K 透過波長：0.4 ~ 0.6μm |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向：（111） 型號：P型 其中Zn占14% 電阻率：1*10(6) 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm 拋光情況：單拋、雙拋 拋光面粗糙度：<15A 注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
