瀏覽次數(shù)：186
GaN晶體
GaN晶體氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體,由于具有化學(xué)穩(wěn)定性好、熱傳導(dǎo)性能優(yōu)良、擊穿電壓高、大功率，近年在光電子領(lǐng)域和高溫高頻電子應(yīng)用備受關(guān)注，是目前最優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | 氮化鎵(GaN)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系 晶格常數(shù)a= 3.186 ? , c = 5.186 ? 傳導(dǎo)類型：N型摻Si；N型不摻雜 可用表面積：>90% 位錯密度：（5-9）x105Ω.cm 電阻率：R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm 介電常數(shù)：8.9 TTV：≤15um 密度：6.15（g/cm3） 生長方法：HVPE（氫化物氣相外延法） |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向： (0001) 常規(guī)尺寸：10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm 表面粗糙度：<5? 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝 |
