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技術資料
相關產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | Ga:ZnO晶體基片 |
| 技術參數(shù) | 晶體結構：六方晶系 晶格常數(shù)： a= 3.252 ? , c = 5.313 ? 熔點：1975℃ 硬度：4 Mohs 密度：~5.7 g/cm3 帶隙：3.37eV 介電常數(shù)：8.5 比熱容：0.125 cal/gm 導電性：N type 導熱系數(shù)：0.006 cal/cm/ oK 熱膨脹系數(shù)：2.90 x 10-6/oK 位錯密度：< 4 x 104 /cm2 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向： (0001) 常規(guī)尺寸：5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm 表面粗糙度：<5A 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標準包裝 | 1000級超凈室100級超凈袋真空包裝 |
