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技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | Ge晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系 晶格常數(shù)：5.6754 ? 密度：5.323 g/cm3 熔點：937.4 ℃ 介電常數(shù)：16.2 熱導(dǎo)率（w/m·k）：60.2 摻雜物質(zhì)：不摻雜；摻Sb；摻In或Ga； 類型：N型 和 P型 電阻率 W·cm：>35 0.05 0.05-0.1 EPD:< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 生長方法：直拉法 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向：<100>、<110>、<111> 晶向公差：±0.5° 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm，10x5x0.5mm,dia2",dia3" 拋光情況：單拋、雙拋 表面粗糙度：< 5A 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
