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InP晶體基片
InP非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）等方面。InP基器件在毫米波、通訊、防撞系統(tǒng)、圖像傳感器等領(lǐng)域有廣泛應用
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | 磷化銦(InP)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系 晶格常數(shù)： a =5.4505 ? 摻雜：None；Sn；S；Fe：Zn 密度：4.81g/cm3 硬度：3 Mohs 導電類型：N；N；N；Si；P 折射率：3.45 載流子濃度：1-2x1016 1-3x10181-4x1018 .6-4x1018 位錯密度：<5x104 cm-2 生長方法：LEC 熔點：1062℃ 彈性模量：7.1E11dyn cm-2 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向： <100> <111> 常規(guī)尺寸：2"x0.5mm 10x10x0.5mm 拋光情況：單拋 表面粗糙度：<15A 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工金屬單晶存在常見晶體缺陷，表面可能會有小黑點，微小氣泡等 |
| 標準包裝 | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
