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LiF晶體基片

LiF晶體基片廣泛應(yīng)用于紫外窗口,棱鏡等領(lǐng)域

技術(shù)資料

相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱

氟化鋰(LiF)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):立方晶系 

晶格常數(shù):4.026 ?   

密度:2.635 g/cm3

熔點(diǎn):855 °C

硬度:4 Mohs

熱膨脹系數(shù):37×10-6/K

折射率:no=1.39212

透過(guò)波段:0.11-7.0um

透過(guò)率:> 85% @ 5 um> 65% @ 0.2 um

色彩離差:0.00395

溫度系數(shù): -12.7 @ 0.6 m

生長(zhǎng)方法:布里奇曼法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:  <100>  <110>  <111> 

 常規(guī)尺寸:10 x 10 x 0.5 mm  5x 5x 0.5mm

拋光情況:?jiǎn)螔?雙拋

表面粗糙度:<5A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷,表面可能會(huì)有小黑點(diǎn),微小氣泡等。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝。