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MoS2 晶體
MoS2有人工和天然兩種，人工的沒有缺陷峰，天然的缺陷峰信號在波長范圍：400-500之間，如果你研究的不在那個波段內(nèi)區(qū)別就不會太大。常用于半導(dǎo)體電子器件，光學(xué)器件等研究。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | MoS2 二硫化鉬 |
| 天然技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系 類型：天然 熔點(diǎn)：2375℃ 純度：>98％ 外觀：銀白色 電導(dǎo)：半導(dǎo)體 帶隙：塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV 常規(guī)尺寸：10 mm x 10 mm ，20 mm x 20 mm，15 mm x 15 mm |
| 人工技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系 類型：CVD法人工合成 熔點(diǎn)：1185℃ 純度：>99.99％ 外觀：黑色/銀灰色 電導(dǎo)：半導(dǎo)體 帶隙：塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV 常規(guī)尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米 生長方法：分子外延，化學(xué)氣相沉積，天然 晶格常數(shù)：a=b=3.15? ,c=12.29?, α=β=90°,γ=120° |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
