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4H-SiC晶體基片
4H-SiC晶體基片是碳化硅（SiC）的一種晶體類型，碳化硅有大約250種晶體類型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人們的關(guān)注。"4H"代表六角晶型，數(shù)字“4”表示C-Si雙原子層沿C方向的堆垛周期數(shù)。
4H-SiC晶體基片的制備工藝一般包括物理氣相傳輸法（PVT），這種方法可以制備出直徑209 mm的4H-SiC單晶，然后通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn)8英寸SiC單晶襯底。此外，另一種新的突破方法是晶圓級立方碳化硅單晶生長，該晶體與目前應(yīng)用廣泛的六方碳化硅（4H-SiC）不同，有望制備出更高性能的產(chǎn)品。
在電學(xué)性質(zhì)上，4H-SiC具有顯著的優(yōu)勢。例如，其禁帶寬度可以達(dá)到3.26eV，遷移率高：900cm2/V.s。因此，4H-SiC晶體基片被廣泛應(yīng)用于電力電子、射頻微波等領(lǐng)域。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | 4H-SiC晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu): 六方晶系 晶格常數(shù)：a=3.08? c=10.05? 熔點2827℃ 硬度(Mohs)：≈9.2 方向：生長軸或偏(0001) 3.5° 密度（g/cm3）3.16 帶隙：2.93eV (間接) 導(dǎo)電類型：N導(dǎo)電 電阻率:0.1-0.01 ohm-cm 介電常數(shù)：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 導(dǎo)電率：5W / cm·K 生長方式：MOCVD(有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積） |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向： 常規(guī)尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm 拋光情況：單拋、雙拋拋光面：常規(guī)單拋為“Si” 面拋光，可按要求做“C”面拋光 拋光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
