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ZnO 晶體基片
ZnO晶體基片，化學(xué)式為ZnO，是一種直接帶隙的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這種晶體具有優(yōu)秀的物理性質(zhì)和多樣的功能，如發(fā)光、電光、閃爍等。特別的，ZnO晶體的導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂都位于布里淵區(qū)中心 Γ 點(diǎn)處，室溫下的帶隙寬度（實(shí)驗(yàn)值）為3.376eV。
在具體應(yīng)用方面，ZnO單晶基片是優(yōu)良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的關(guān)鍵基片材料，特別適用于短波長發(fā)光器件，例如LEDs和LDs。此外，ZnO還因其在可見光區(qū)域的透明性、大的機(jī)電耦合系數(shù)以及氣體分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器。
技術(shù)資料
相關(guān)產(chǎn)品
| 產(chǎn)品名稱 | ZnO 晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系 晶格常數(shù)：a=3.325 ? c=5.213 ? 密度：5.605 g/cm3 晶體純度：99.99% 介電常數(shù)：8.5 熔點(diǎn)：1975℃ 莫氏硬度：4 熱膨脹系數(shù)(10-6/K)：6.5// a 3.7// c 熱容：0.125(J /g.k) 透過波長：0.4~0.6um 熱導(dǎo)率：30W/(m.k) at300K 生長方式：水熱法 |
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向：<0001>、<11-20>、<10-10> 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm 晶體粗糙度：<5A 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
| 晶體缺陷 | 人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
